2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

2016年9月14日(水) 13:15 〜 17:45 A26 (203-204)

嘉数 誠(佐賀大)、伊藤 利道(阪大)、梅沢 仁(産総研)

16:30 〜 16:45

[14p-A26-12] (111)超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層

蔭浦 泰資1、日出幸 昌邦1、柴田 将暢1、笹間 陽介2、山口 尚秀2、高野 義彦2、川原田 洋1,3 (1.早大、2.物材機構、3.早大材研)

キーワード:ダイヤモンド、超伝導、格子歪み

ダイヤモンドは、ボロン濃度により超伝導転移温度が制御可能、高い耐熱・耐酸性による加工特性、などの優れた性質から、超伝導デバイスに適した材料であるが、我々は先行研究により、MPCVD法によりエピ成長させた高濃度ボロンドープ層は、ある膜厚以上で欠陥の導入を伴った格子緩和が生じることを明らかにしてきた。そこで本研究では、X線回折法により格子歪みと格子緩和の状態を明らかにし、断面TEM観察から、基板界面より数百nm程度から高密度な積層欠陥・双晶の導入を伴った格子緩和が生じることを明らかにした。