[14p-A26-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14p-A26-15] Threshold voltage of electrolyte solution gate diamond FET

〇(DC)Masafumi Inaba¹, Keisuke Igarashi¹, Takuro Naramura¹, Shuhei Abe¹, Masanobu Shibata¹, Yukihiro Shintani², Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada^1,3 (1.Waseda Univ., 2.Yokogawa Electric., 3.Waseda Zaiken)

Keywords:Diamond, SGFET, Threshold voltage

ダイヤモンド電解質溶液ゲートFET（SGFET）によるpHセンサは、口腔内などの生体のpHを長期にモニタリングする用途に期待されている。これまで我々はダイヤモンドSGFETを作製し、そのpHセンサ能などを報告してきた。これはノーマリーオフの特性を示している。これに対して、C-Hダイヤモンド表面にAl₂O₃のゲート絶縁膜兼パッシベーション膜を形成した2DEGによるダイヤモンドMOSFETは、ノーマリーオンの特性を示す。今回、C-HダイヤモンドSGFETのしきい値に焦点を絞って議論する。