[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-A26-2] 高密度プラズマを用いた3C-SiC/Si上のダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長及び欠陥評価

〇矢板 潤也^1,2、岩崎 孝之^1,2、Natal Meralys³、Saddow Stephen³、波多野 睦子^1,2 (1.東京工業大学、2.JST-CREST、3.南フロリダ大学)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル