The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.2 Carbon-based thin films

[14p-A26-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

Wed. Sep 14, 2016 1:15 PM - 5:45 PM A26 (203-204)

Makoto Kasu(Saga Univ.), Toshimichi Ito(Osaka Univ.), Hitoshi Umezawa(AIST)

2:00 PM - 2:15 PM

[14p-A26-4] Growth and characterization of heavily phosphorus doped diamond thin films

Satoshi Koizumi1, Takehiro Shimaoka1 (1.NIMS)

Keywords:diamond, chemical vapor deposition, n-type doping

マイクロ波プラズマCVDによるリンドープn型ダイヤモンド薄膜成長において、低オフ角{111}ダイヤモンド表面で高いリン添加効率(ダイヤモンド中に取り込まれたリン濃度/気相中のリン濃度)が得られることがこれまでの研究から明らかになった。本研究では2度未満の低オフ角で平坦研磨された{111}Ibダイヤモンド下地表面に高濃度リンドープ薄膜を形成しその電気特性を評価した。