[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-A26-4] 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の作製と評価

〇小泉 聡¹、嶋岡 毅紘¹ (1.物材機構)

キーワード：ダイヤモンド、化学気相成長、n型ドーピング

マイクロ波プラズマCVDによるリンドープn型ダイヤモンド薄膜成長において、低オフ角｛111｝ダイヤモンド表面で高いリン添加効率（ダイヤモンド中に取り込まれたリン濃度／気相中のリン濃度）が得られることがこれまでの研究から明らかになった。本研究では2度未満の低オフ角で平坦研磨された｛111｝Ibダイヤモンド下地表面に高濃度リンドープ薄膜を形成しその電気特性を評価した。