[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-A26-7] 界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価

〇青木 俊周¹、寺地 徳之²、小出 康夫²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.物質・材料研究機構)

キーワード：p形ダイヤモンド、界面顕微光応答法、ショットキー接触

金属/半導体界面を2次元的に評価できる界面顕微光応答法を用い、Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価を行った。典型的な電極は、均一な像がYと障壁高さ(qΦ_B)の両者で得られた。得られたqΦ_Bは面内平均2.05eVとなり、p形ダイヤモンドの特徴である高いqΦ_B得ることができた。また、エピ基板の再利用のため、蒸着した電極を除去した後、電極を再蒸着した場合は、除去前の電極跡の像が得られた。本手法が界面組成に非常に敏感であることが示された。