[14p-A33-1~15] 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－

[14p-A33-8] 2インチGaAsウエハー上に層数制御したＭＢＥ成長MoSe₂

〇小野満 恒二¹、Krajewska Aleksandra¹、Neufeld Ryan¹、前田 文彦¹、熊倉 一英¹、山本 秀樹¹ (1.NTT 物性研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー、ガリウムヒ素

遷移金属ダイカルコゲナイド(TX₂)は、グラファイトに代表される層状物質の一つで、弱いvan der Waals力で層間が結合している。層状物質は、格子不整合が大きな物質同士でもヘテロエピタキシャル成長できるが、マクロな平坦性には基板の表面モフォロジーが影響する。そこで、2インチGaAs(111)Bウエハー上に原子層ステップが確認できる平坦なGaAsバッファー層を成長し、その上にウエハースケールで層数制御したMoSe₂を実現したので報告する。