[14p-A35-1~12] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

△ [14p-A35-9] Near-infrared luminescence properties of bismuth-doped silicon oxynitride thin films

〇Takuya Kojima¹, Takafumi Morioka¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:Bismuth, thin films, NIR luminescence

導波路型広帯域近赤外光増幅器や近赤外発光素子の実現を目指してBiドープSiO_xN_y薄膜を作製し、Biイオンに起因するブロードな発光を示すことを見出した。また、ホスト材料の組成を変化させると近赤外発光特性が変化することも見出した。講演では、BiドープSiO_xN_y薄膜の組成および発光特性の評価、近赤外発光の起源について議論する。