[14p-A37-1~17] 6.4 Thin films and New materials

△ [14p-A37-8] Room-temperature epitaxy and characterization of Fe-doped NiO thin films

〇shiori takano¹, yuki fujimoto¹, nobuo tsuchimine², satoru kaneko^3,1, akifumi matsuda¹, mamoru yoshimoto¹ (1.Tokyo Inst. of Tech., 2.TOSHIMA manu., 3.Kanagawa Ind. Tech. Center)

Keywords:NiO, epitaxy, dope

新規な半導的および磁性特性発現を目的とし、FeドープNiOエピタキシャル薄膜の室温成長と物性に及ぼすド―パントの影響について検討した。Fe のようにNiとは内殻磁性電子数の異なる遷移金属をド―パントとして用いた場合、電子キャリア注入、格子歪・反強磁性スピン秩序の崩壊、など構造や物性の変化が期待できる。また、ドーパントの再蒸発や析出を抑制し、高濃度ドーピングを達成するため室温において薄膜合成を行った。