[14p-B1-1~6] AI/ディープラーニング時代に向けたIoT/IoEデバイス技術

[14p-B1-3] 2端子ニューロモルフィック素子に向けた酸化物中のプロトン揮発性の制御

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大マテ)

キーワード：電気化学ドープ、固体イオニクス

任意の時定数を持つ2端子揮発メモリを設計できれば、ニューロモルフィック回路の構造を劇的に単純化することができる。本研究では数nmのSiO₂キャップによってTiO₂薄膜中にプロトンを閉じ込め、またSiO₂キャップの厚みを変えることで閉じ込められたプロトンの流出速度を制御できることを示した。これらの結果は、TiO₂とSiO₂を基本要素として固体中のプロトンの動きを制御し、任意の時定数を持つ2端子揮発メモリを設計できる可能性を示唆している。