[14p-B11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[14p-B11-11] 高移動度短チャネルトップゲート有機トランジスタにおける接触抵抗の影響

〇永瀬 隆^1,2、中道 諒介¹、小林 隆史^1,2、貞光 雄一³、内藤 裕義^1,2 (1.大阪府大、2.大阪府大RIMED、3.日本化薬)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、接触抵抗、短チャネル

有機電界効果トランジスタ (OFET) の回路応用において短チャネル化は重要な課題である。これまでに我々は塗布プロセスにより作製したチャネル長5 umのトップゲートOFETにおいて1 cm²/Vsの電界効果移動度が得られ、特に飽和移動度がゲート絶縁膜の厚さに強く依存することを報告した。本研究では、この様な短チャネルトップゲートOFETにおける飽和及び線形移動度の違いを接触抵抗が及ぼす影響から議論する。