2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[14p-B11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

2016年9月14日(水) 13:15 〜 17:00 B11 (展示ホール内)

間中 孝彰(東工大)、内藤 裕義(大阪府大)

14:00 〜 14:15

[14p-B11-3] 層間フラストレーションを用いた大面積単一分子層有機半導体超薄膜の作製とTFT動作

荒井 俊人1、井上 悟2,3、浜井 貴将1、峯廻 洋美2、熊井 玲児4、長谷川 達生1,2 (1.東大院工、2.産総研、3.日本化薬、4.高エネ研)

キーワード:有機半導体、大面積単結晶薄膜、薄膜トランジスタ

層状結晶性を有するベンゾチエノベンゾチオフェン(BTBT)系の材料は、印刷法で作製した薄膜についても高い移動度を示すことから、プリンテッドエレクトロニクス材料の有力候補と考えられている。しかし、単結晶であっても、その特性はばらつきが大きく、実用化を困難にしている。その原因として、作製された薄膜の厚みの違いがあげられることが近年我々の研究で明らかになってきた。そこで本研究では、積層方向にフラストレーションを導入することで、積層数を制御し均質かつ高移動度のデバイスを大面積で作製する手法を新たに開発したので紹介する。