[14p-B11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [14p-B11-4] 高分子電界効果トランジスタによる高移動度の実現とその評価の妥当性

〇(D)山下 侑¹、渡邉 峻一郎^1,2、竹谷 純一¹ (1.東大院新領域、2.JST さきがけ)

キーワード：有機半導体、高分子半導体、電界効果トランジスタ

近年、D-A型高分子半導体において10 cm²/Vsを超える高い移動度が報告されている。一方でそうした報告に用いられているFET評価方法に疑問を示す報告も出てきている。本講演ではFET評価において接触抵抗とD-A型ポリマーで起こる閾値電圧のシフトが与える影響を考察し、適切な評価条件を提示する。さらに、配向したD-A型高分子で10 cm²/Vsを超える移動度を実現した我々の研究結果について解説する。