[14p-B12-1~18] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-B12-14] 低熱伝導率SiGe構造の探索～フォノンモード解析～

〇高橋 憲彦¹、金田 千穂子¹ (1.富士通研)

キーワード：SiGeナノ構造、熱伝導率、フォノン振動モード解析

熱伝導率の大幅な低減が期待できるSiGe混晶系、Si/Ge積層系のフォノン振動モード解析を行った。振動モードの空間的な局在性を表す指標であるParticipation Ratioの値は、SiGe混晶系、Si/Ge積層系共にSi、Ge結晶と比較してほぼすべての周波数領域で減少している。これは、両系の多くのモードがより局在化していることを示しており、熱伝導率を低減させる一因であると考えられる。