[14p-B12-1~18] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [14p-B12-7] Thermal conductivity of heteroepitaxial VO₂ thin films in relation to metal-insulator transition

〇Satoshi Minegishi¹, Takashi Yagi², Hinako Kizuka¹, Junjun Jia¹, Yuichiro Yamashita², Shinichi Nakamura¹, Naoyuki Taketoshi², Yuzo Shigesato¹ (1.AoyamaGakuin Univ., 2.AiST)

Keywords:VO2 thin film, thermal conductivity, rf magnetron sputtering

VO₂は温度変化に伴い341 K付近で金属・絶縁体相転移を起こし、比抵抗は大幅に変化する。またVO₂は電気伝導性に強い結晶方位依存性を有することが知られているが、熱伝導率における方位依存性および相変態における影響は不明である。本研究では結晶方位の異なるエピタキシャルVO₂薄膜にて、金属・絶縁体相転移における熱伝導率変化の方位依存性を明らかにすることを目的とした。