[14p-B12-1~18] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [14p-B12-7] ヘテロエピタキシャル成長したVO₂薄膜の熱伝導率と金属絶縁体相転移

〇峯岸 智志¹、八木 貴志²、鬼塚 日奈子¹、賈 軍軍¹、山下 雄一郎²、中村 新一¹、竹歳 尚之²、重里 有三¹ (1.青学大理工、2.産総研)

キーワード：VO2薄膜、熱伝導率、rfマグネトロンスパッタリング

VO₂は温度変化に伴い341 K付近で金属・絶縁体相転移を起こし、比抵抗は大幅に変化する。またVO₂は電気伝導性に強い結晶方位依存性を有することが知られているが、熱伝導率における方位依存性および相変態における影響は不明である。本研究では結晶方位の異なるエピタキシャルVO₂薄膜にて、金属・絶縁体相転移における熱伝導率変化の方位依存性を明らかにすることを目的とした。