[14p-B2-1~19] 3.9 Terahertz technologies

△ [14p-B2-15] Measurement of noise characteristics in Terahertz Detector using High Electron Mobility Transistor

〇(M2)Satoshi Shibuya¹, Isobe Yuuki¹, Suzuki Safumi¹ (1.Tokyo tech.)

Keywords:terahertz, High Electron Mobility Transistor

近年、テラヘルツ(THz)帯を利用した分光分析・大容量無線通信といった研究が急ピッチで進められ、それらに用いる高性能な検出器が要求されている。我々は、チャネルを高い電子速度で走行し高感度が期待できる短ゲートのInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いたTHz受信器を作製し高い電流感度を達成した。今回受信器の雑音特性を測定し、HEMT受信器における主な雑音を特定すると共に、~0.5 pW/Hz1/2の雑音等価電力(NEP)を得たので報告する。