[14p-B2-1~19] 3.9 テラヘルツ全般

[14p-B2-17] テラヘルツ受信器用GaAsSbバックワードダイオードの雑音特性改善

〇高橋 剛^1,2、佐藤 優^1,2、芝 祥一¹、中舍 安宏^1,2、原 直紀^1,2、岩井 大介¹、岡本 直哉¹、渡部 慶二¹ (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：検波器、トンネル、雑音

テラヘルツ検波器としてゼロバイアスで動作するp⁺-GaAsSb/n-InGaAsヘテロ接合バックワードダイオードの雑音特性を検討した。従来のp⁺-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAs 構造からi-InAlAsバリア層を抜くことで、接合抵抗（Rj）を低減した。94～300 GHzの感度はやや低下したが、300GHzの雑音特性（NEP）は、303から64 pW/√Hzまで大幅に改善した。