[14p-B2-1~19] 3.9 テラヘルツ全般

[14p-B2-4] 4x4行列法を用いたテラヘルツ帯磁気光学エリプソメトリー法の開発

〇長島 健¹、達 紘平²、荒木 努² (1.摂南大理工、2.立命館大理工)

キーワード：磁気光学効果、エリプソメトリー、テラヘルツ

4x4行列法を用いたテラヘルツ帯時間領域磁気光学エリプソメトリー法を開発した．4x4行列法では磁場下での各層のテラヘルツ応答を移送行列で表し，偏光複素反射率をそれらの積で記述することができる．本手法により層構造を持つ半導体試料中の自由キャリアの密度，散乱時間及び有効質量を決定できる．講演ではInAsウェハ及びGaAs系2次元電子ガス試料の測定結果を示す．