The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.5 Ion beams

[14p-B6-1~12] 7.5 Ion beams

Wed. Sep 14, 2016 1:45 PM - 5:15 PM B6 (Exhibition Hall)

Yasuhito Gotoh(Kyoto Univ.), Satoshi Ninomiya(Yamanashi Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[14p-B6-11] Application of GCIB to Surface Activation Bonding

〇(M2)Tomoya Sasaki1, Noriaki Toyoda1, Isao Yamada1 (1.Univ of Hyogo)

Keywords:GCIB, SAB

表面活性化接合のビームとして、超低エネルギーイオンが実現できるガスクラスターイオンビーム(GCIB)の応用を試みた。照射表面のXPS分析からGCIBを斜入射で照射することで、Cu表面の酸化膜を除去することができ、Cu同士の接合が可能であることを示した。今後、引張試験や接合メカニズムの検証、AFMによる表面形状評価を行う予定である。