[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-10] Ge基板中の欠陥がFET特性に及ぼす影響

〇鳥海 明¹、西村 知紀¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、欠陥

Ge FETの高性能化をめざした研究の中で，Ge基板の差がFET特性に大きく影響することを見いだした。基板特性が特性に影響するのは当然ではあると考えられるが，ゲートスタックにおける界面特性はまったく同じで，プロセスもまったく同じであるにも関わらず，基板を変えるだけで移動度は著しく異なる部分が特異的である。この原因を探る中で見いだしたGeの特徴に関して，基板中の欠陥という観点で議論する。