[14p-B7-1~17] IV族半導体薄膜の結晶化と欠陥制御

[14p-B7-13] a-Si, a-Ge薄膜の低温固相結晶化と欠陥形成

〇松尾 直人¹ (1.兵庫県立大 院 工)

キーワード：Ⅳ属半導体、固相結晶化、結晶欠陥

a-Si，a-Ge薄膜の低温結晶化法としてエキシマ・レーザ・アニール（ELA），YAGレーザ，プラズマジェット，軟X線，青色レーザ，フラッシュ・ランプ・アニール（FLA）を用いる方法が提案されている。更に，フレキシブル基板上という事を考慮すると「固相」は重要なキーワードである。しかし固相結晶化（SPC）は欠陥を誘起し易い。本稿においては，ELA法による膜中水素原子と欠陥生成の関係，軟Ｘ線照射結晶化法における軟Ｘ線エネルギーと欠陥生成の関係，FLA結晶化法における溶融結晶化（LPC），SPCと点欠陥の関係を明らかにする。