[14p-C31-1~13] 3.7 レーザープロセシング

△ [14p-C31-9] 酸化ガリウム半導体内部への偏光依存ナノ周期構造形成とそのメカニズム解明

〇中西 佑太¹、下間 靖彦¹、坂倉 政明²、三浦 清貴¹ (1.京大院工、2.京大産連本部)

キーワード：半導体、ナノ周期構造、フェムト秒レーザー

近年、我々は赤外フェムト秒レーザーのダブルパルス列を用いてSiおよびGaP結晶の内部構造を直接改質することに成功した。特に間接遷移型半導体の場合においてのみ、偏光依存ナノ周期構造が形成されることを経験的に見出している。本研究では、バンドギャップによる影響を確かめるため、間接遷移型半導体との報告があるβ-Ga₂O₃結晶（E_g ~ 4.8 eV）にフェムト秒レーザーを集光照射し、光誘起される構造変化について評価した。