2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.4 アナログ応用および関連技術

[14p-D61-1~20] 11.4 アナログ応用および関連技術

2016年9月14日(水) 13:15 〜 19:00 D61 (万代島ビル6階D1)

紀和 利彦(岡山大)、三木 茂人(情通機構)、田井野 徹(埼玉大)

17:30 〜 17:45

[14p-D61-15] 原子層堆積法で成膜した窒化ニオブ(NbN)膜の急速熱処理プロセスによる超伝導特性向上

浮辺 雅宏1、藤井 剛1、志岐 成友1、大久保 雅隆1 (1.産総研 ナノエレ)

キーワード:NbN、STJ、粒子検出器

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ(NbN-STJ)アレイ粒子検出器の開発を進めている。必要な信号雑音 (S/N) 比を実現するNbN-STJアレイ粒子検出器の開発には、0.1nm程度と極薄のトンネル層(AlN)をその厚さを高精度で制御しながら、欠陥無く形成する必要があるため、原子層堆積法(ALD)を用いて高品質NbN/AlN/NbN超伝導多層膜の成膜を試みている。今回は、ALD及びスパッタで成膜したNbN膜の特性(表面モーフォロジー、結晶性等)を評価した。さらに、ALDで成膜したNbN膜の急速熱処理(Rapid Thermal Annealing:RTA)によるTCの向上も試みた。