[14p-D62-1~20] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[14p-D62-11] Mobility Improvement of GaAs Nanowire TFTs by Reverse Electrolysis Treatment

〇Shinya Aikawa¹, Kohei Yamada¹, Hideki Hashimoto¹, Hidetaka Asoh¹, Sachiko Ono¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:GaAs nanowires, Thin-film transistors, Reverse electrolysis treatment

我々はこれまでに，アノードエッチングで形成したGaAsナノワイヤを用いて，ランダムネットワークチャネルを有する薄膜トランジスタ（TFT）を作製してきた．アノードエッチングによって形成されたナノワイヤは絶縁的挙動を示す一方で，形成後に逆電解処理を行うことで，ドレイン電流のゲート電圧変調を実証している．しかしながら，移動度は0.01 cm²/Vs未満と低く，GaAsの高特性を活かしきれていない問題があった．今回，移動度向上に向けて，GaAsナノワイヤに対する逆電解時間の効果を検討したので報告する．結果として，逆電解時間600秒のナノワイヤを用いて作製したTFTにおいて，移動度2.3 cm²/Vsが得られた．