[14p-D62-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[14p-D62-11] 逆電解処理によるGaAsナノワイヤTFTの移動度向上

〇相川 慎也¹、山田 航平¹、橋本 英樹¹、阿相 英孝¹、小野 幸子¹ (1.工学院大)

キーワード：GaAsナノワイヤ、薄膜トランジスタ、逆電解処理

我々はこれまでに，アノードエッチングで形成したGaAsナノワイヤを用いて，ランダムネットワークチャネルを有する薄膜トランジスタ（TFT）を作製してきた．アノードエッチングによって形成されたナノワイヤは絶縁的挙動を示す一方で，形成後に逆電解処理を行うことで，ドレイン電流のゲート電圧変調を実証している．しかしながら，移動度は0.01 cm²/Vs未満と低く，GaAsの高特性を活かしきれていない問題があった．今回，移動度向上に向けて，GaAsナノワイヤに対する逆電解時間の効果を検討したので報告する．結果として，逆電解時間600秒のナノワイヤを用いて作製したTFTにおいて，移動度2.3 cm²/Vsが得られた．