[14p-D62-1~20] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[14p-D62-13] Electric property of Ge/Si core-shell nanowire at low temperature

〇Hiroyuki Takagi^1,2, Tomohiro Noguchi^1,2, Marolop Simanullang^1,2, Koichi Usami^1,2, Tetsuo Kodera², Shunri Oda^1,2 (1.QNERC, Tokyo Tech, 2.Dept of EE, Tokyo Tech)

Keywords:Ge/Si core-shell nanowire, Thermoelectric properties, Quantum effect

近年Ge/Siコアシェルナノワイヤは熱電変換素子として注目されている。本研究室で作製したGe/Si NWでは約20K以下で熱起電力の向上を観測している。このGe/Si NWを用いてΩゲートトランジスタを作製し、20K以下の低温下でI_ds-V_g特性を測定したところ、クーロンピークの観測に成功した。これは20K以下の低温下で量子閉じ込め効果が表れたことを示しており、この現象から本デバイスで用いたGe/Si NWが低温下で熱起電力が向上することを説明することができた。