[14p-D62-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[14p-D62-13] 低温下におけるGe/Si コアシェルナノワイヤの電気特性評価

〇高木 寛之^1,2、野口 智弘^1,2、Simanullang Marolop^1,2、宇佐美 浩一^1,2、小寺 哲夫²、小田 俊理^1,2 (1.東工大、未来研、2.東工大、工学院電気電子系)

キーワード：Ge/Si コアシェルナノワイヤ、熱電特性、量子効果

近年Ge/Siコアシェルナノワイヤは熱電変換素子として注目されている。本研究室で作製したGe/Si NWでは約20K以下で熱起電力の向上を観測している。このGe/Si NWを用いてΩゲートトランジスタを作製し、20K以下の低温下でI_ds-V_g特性を測定したところ、クーロンピークの観測に成功した。これは20K以下の低温下で量子閉じ込め効果が表れたことを示しており、この現象から本デバイスで用いたGe/Si NWが低温下で熱起電力が向上することを説明することができた。