[14p-D63-11~21] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[14p-D63-11] 低温成膜により制御したBaHfO₃ナノロッドを有するSmBa₂Cu₃O_y超伝導薄膜のJ_c特性

三浦 峻¹、〇一野 祐亮¹、徐 千語¹、吉田 隆¹、一瀬 中²、淡路 智³、松本 要⁴ (1.名大院工、2.電中研、3.東北大金研、4.九工大)

キーワード：REBCO超伝導体、薄膜、磁束ピン止め

近年、REBa₂Cu₃O_y (REBCO)超伝導線材は強磁場発生コイルへの応用が期待されており、そのターゲットとなる磁場温度領域は2 T以上及び4.2-50 Kである。そこで本研究では、それらの磁場温度領域におけるREBCO薄膜の臨界電流特性の向上を目的とし、低温成膜法を用いて薄膜作製時の成膜基板温度(T_s)を通常より低下させることで、SmBCO超伝導薄膜内のBaHfO₃ (BHO)の形態を制御した。本発表では、異なるT_sで作製したBHO添加SmBCO薄膜の結果と併せて臨界電流特性に関して報告する。