[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-1] 金属原料ガスのパルス供給によるZnO結晶膜の単分子層成長制御

〇小野 翔太郎¹、齋藤 太朗¹、玉山 泰宏¹、安井 寛治¹ (1.長岡技大工)

キーワード：触媒反応、ZnO、パルスガス供給

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法によりA面サファイア基板上にc軸配向のZnO膜を成長するにあたりZn原料ガスのパルス供給による単分子層厚さの堆積制御を試みた．亜鉛原料であるDMZnガスの供給パルス幅を4 ms, 8 msとしたところ1パルス当りの堆積厚さは0.19 nmおよび0.36~0.39 nmとなった．このことから単分子層厚さの堆積制御が可能であると推察された．