[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [14p-P10-11] Fabrication of α-Ga₂O₃ thin films using α-(Al_xGa_1-x)2O3 graded buffer layers

〇Riena Jinno¹, Takayuki Uchida¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujita¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Wide bandgap semiconductor, Gallium Oxide

α-Ga₂O₃は近年、パワーデバイス、深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。しかし、現状ではα-Ga₂O₃には多くの転位が存在し、移動度が低いことが課題である。そこで、転位密度低減を目的としてα-(Al_xGa_1-x)₂O₃傾斜バッファ層を導入したα-Ga₂O₃薄膜の作製を行い、α-Ga₂O₃の転位密度を1桁以上低減することに成功した。