[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [14p-P10-11] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃傾斜バッファ層を導入したα-Ga₂O₃薄膜の作製

〇神野 莉衣奈¹、内田 貴之¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム

α-Ga₂O₃は近年、パワーデバイス、深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。しかし、現状ではα-Ga₂O₃には多くの転位が存在し、移動度が低いことが課題である。そこで、転位密度低減を目的としてα-(Al_xGa_1-x)₂O₃傾斜バッファ層を導入したα-Ga₂O₃薄膜の作製を行い、α-Ga₂O₃の転位密度を1桁以上低減することに成功した。