[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-2] 低温成長によるZnO膜の平坦化と電気的特性の影響

〇中村 篤志¹、横北 拓大¹、章 国強²、後藤 秀樹² (1.静大工、2.NTT物性基礎研)

キーワード：ZnO、RPE-MOCVD、低温成長

MOCVD成長ZnOは比較的高温でユニークなナノ構造を示し、c軸配向したロッドやワイヤー状に成長することが知られているが、成長基板の平坦性を反映した連続膜はこれまで困難であった。B.P.Zhangらによって250〜300^oCのMOCVD成長では高い平坦性のZnO膜が得られることが報告されているが、そのモフォロジ-が電気的特性に及ぼす影響についてはこれまで明らかになっていなかった。本研究は、RPE-MOCVD法でZnO膜の低温成長を試み、キャリアガスの違いやプラズマ（ドーピング）によるZnO膜の平坦性と電気的特性の影響を調べた。