[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

[14p-P10-20] Fabrication and Characterization of AZO Multi-Layer Thin Film Transistors Using High-Resistivity AZO Thin Films Buffers by Solution Method

〇Fumiya Kimura¹, Shota Sasaki¹, Yi Sun¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC)

Keywords:Oxide semiconductor, Thin film transistor, Solution method

前回の春応物学術講演会では，低コスト金属のアルミニウム(Al)を添加したレアメタルフリーなAl-doped ZnO (AZO)前駆体溶液を用いて，焼結時の雰囲気を変えてAZO膜を作製し，結晶性と光透過性の評価，TFTの作製と直流特性の評価について報告した．今回，AZO-TFTの特性改善を目指し，Al組成を高めた高抵抗なAZO薄膜を溶液法で形成しバッファ層として用いることで，AZO-TFTの伝達特性におけるヒステリシスが改善したので，それらの結果について報告する．