[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [14p-P10-22] Analysis of heat suppressed structure for oxide thin-film transistor

〇(D)Kahori Kise¹, Mami N Fujii¹, Juan Paolo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:TAOS, self heating, reliability

近年，高性能・高信頼性デバイスの駆動素子材料としてアモルファスInGaZnOに代表される透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が次世代のディスプレイ用素子として注目されている．このような素子の長期信頼性を確保するためには，劣化要因の一つである自己発熱による劣化メカニズムを深く理解することが重要である．本研究ではこれを素子構造の面から解明し，メカニズムに則し発熱劣化を抑制する素子構造を考案することを目的とする．