[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-5] 触媒反応支援CVD法により堆積した非極性ZnO膜の発光特性

〇池田 宗謙¹、田島 諒一¹、安達 雄大¹、加藤 有行¹、玉山 泰宏¹、安井 寛治¹ (1.長岡技科大)

キーワード：触媒反応、a面ZnO、偏光特性

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法により、r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を行い得られた結晶膜の発光の偏光特性を調べた。その結果，低温成長したZnO膜において強い角度依存性が見られ，成長温度の上昇につれて角度依存性が弱くなった．AFM像からa面由来のストライプ構造が観測され低温では短軸方向の[1-100]軸方向の幅が0.1mm以下と非常に小さく成長温度の上昇と共に[1-100]軸方向の幅が約0.5mmまで大きくなった．偏光の角度依存性はこのドメインの構造に由来していると考えられる．