[14p-P11-1~6] 1.1 応用物理一般・学際領域

[14p-P11-5] 変位電流法による金属／半導体界面でのキャリア注入障壁の測定

〇佐藤 井一¹、宮尾 文啓¹、吉田 恵亮¹、田島 裕之¹ (1.兵庫県立大院物質理)

キーワード：ショットキー障壁、フタロシアニン

本発表では、金属－半導体界面でのキャリア注入障壁を三角波電圧の印加により簡便に求める方法を紹介する。この方法は様々な金属－半導体界面に適用可能である。発表では、具体例として銀－フタロシアニン界面、および正孔輸送層である酸化モリブデン層を銀－フタロシアニン界面間に形成した場合のキャリア注入障壁の評価結果を示す。