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[14p-P21-11] ナノ粒子前駆体を用いたCu2ZnSnS,Se4薄膜の作製
キーワード:ナノ粒子、半導体、太陽電池
本研究では、ナノ合成を合成し、得られたナノ粒子をモリブデン基板上に塗布し、焼成雰囲気によるCZTSナノ粒子の薄膜化に及ぼす影響について調べた。その結果、Se蒸気下で焼成するとCZTSのピークは確認されず、Cu2ZnSnSe4(CZTSe)のピークのみ現れた。温度の増加と共に、膜の結晶粒は、増大したが、500oC以上に成ると異常粒成長が起こり、膜とは別に粒子が点在していることが確認された。この結果、従来500oC以上で焼成されていた膜は、450oC以下にする必要があることがわかった。また、焼成時間を10分から60分に変更したところ、60分では、SnSeなどの異相が形成されることがわかった。