[14p-P21-1~27] 13.10 化合物太陽電池

[14p-P21-25] InGaP/GaAs/Si 3接合太陽電池におけるIII-V/Siサブセル間カップリング特性

〇重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪市大工)

キーワード：多接合太陽電池、表面活性化接合、カップリング

ボンディング層上に電極を有するInGaP/GaAs/Si 3接合太陽電池を室温での表面活性化接合法により作製した。III-Vサブセルの両端にバイアス電圧を印加し、同サブセルの電流-電圧特性とSiサブセルに発生する電流を同時に測定することにより、サブセル間に非線形のluminescent couplingが生じていることを明らかにした。両サブセルの電流変化の比からカップリング係数を推定した。