[14p-P21-1~27] 13.10 Compound solar cells

[14p-P21-5] Preparation of Cu₂GeS₃ Bulk Single Crystals by Chemical Vapor Transport Method

〇(M2)Yusuke MATSUMOTO¹, Naoya Aihara¹, Kunihiko Tanaka¹ (1.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:Chemical vapor transport, Single crystal, Cu2GeS3

Cu₂GeS₃は薄膜太陽電池への応用が期待されている半導体材料であり、現在1.7 %の発電効率が報告されている一方で詳細な基礎物性は明らかになっていない。その一因として、物性評価において重要となる単結晶に関して、多結晶体から単離させた単結晶片以外に作製報告がないことが挙げられる。本研究では、ヨウ素輸送法を用いたCu₂GeS₃バルク単結晶の作製を試みた。ヨウ素濃度の調整により結晶性の高いCu₂GeS₃バルク結晶の作製に成功したため報告する。