[14p-P21-1~27] 13.10 Compound solar cells

[14p-P21-7] Preparation of Ag₂SnS₃ thin films by sulfurazation method

〇Aimi Minami¹, Shohei Sasagawa¹, Hinako Ebe¹, Aimi Yago¹, Youji Akaki², Toshiyuki Yamaguchi³, Shigeyuki Nakamura⁴, Satoru Seto⁵, Hironori Katagiri¹, Hideaki Araki¹ (1.NIT, Nagaoka Col., 2.NIT, Miyakonojyo Col., 3.NIT, Wakayama Col., 4.NIT, Thuyama Col., 5.NIT, Ishikawa Col.)

Keywords:Ag2SnS3, thin-films, sulfurazation

近年，無毒で安価な三元化合物半導体としてCu₂SnS₃(CTS)薄膜太陽電池が注目されている．CTSのCuを同族元素のAgに置換したAg₂SnS₃(ATS)のバンドギャップは1.26 eV であると報告されており，単接合太陽電池の最適値に近いため，新規な光吸収層として期待できる．本研究では，CTS薄膜太陽電池の作製技術を応用し，SLG基板上にAg – Sn合金前駆体を成膜し，450 – 570℃の範囲にて硫化を行い，硫化温度依存性について検討した．