The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Poster presentation

13 Semiconductors » 13.10 Compound solar cells

[14p-P21-1~27] 13.10 Compound solar cells

Wed. Sep 14, 2016 4:00 PM - 6:00 PM P21 (Exhibition Hall)

4:00 PM - 6:00 PM

[14p-P21-7] Preparation of Ag2SnS3 thin films by sulfurazation method

Aimi Minami1, Shohei Sasagawa1, Hinako Ebe1, Aimi Yago1, Youji Akaki2, Toshiyuki Yamaguchi3, Shigeyuki Nakamura4, Satoru Seto5, Hironori Katagiri1, Hideaki Araki1 (1.NIT, Nagaoka Col., 2.NIT, Miyakonojyo Col., 3.NIT, Wakayama Col., 4.NIT, Thuyama Col., 5.NIT, Ishikawa Col.)

Keywords:Ag2SnS3, thin-films, sulfurazation

近年,無毒で安価な三元化合物半導体としてCu2SnS3(CTS)薄膜太陽電池が注目されている.CTSのCuを同族元素のAgに置換したAg2SnS3(ATS)のバンドギャップは1.26 eV であると報告されており,単接合太陽電池の最適値に近いため,新規な光吸収層として期待できる.本研究では,CTS薄膜太陽電池の作製技術を応用し,SLG基板上にAg – Sn合金前駆体を成膜し,450 – 570℃の範囲にて硫化を行い,硫化温度依存性について検討した.