[14p-P21-1~27] 13.10 化合物太陽電池

[14p-P21-7] 硫化法によるAg₂SnS₃薄膜の作製

〇南 愛海¹、笹川 祥平¹、江部 日南子¹、家後 和美¹、赤木 洋二²、山口 利幸³、中村 重之⁴、瀬戸 悟⁵、片桐 裕則¹、荒木 秀明¹ (1.長岡高専、2.都城高専、3.和歌山高専、4.津山高専、5.石川高専)

キーワード：Ag2SnS3、薄膜、硫化

近年，無毒で安価な三元化合物半導体としてCu₂SnS₃(CTS)薄膜太陽電池が注目されている．CTSのCuを同族元素のAgに置換したAg₂SnS₃(ATS)のバンドギャップは1.26 eV であると報告されており，単接合太陽電池の最適値に近いため，新規な光吸収層として期待できる．本研究では，CTS薄膜太陽電池の作製技術を応用し，SLG基板上にAg – Sn合金前駆体を成膜し，450 – 570℃の範囲にて硫化を行い，硫化温度依存性について検討した．