[14p-P22-1~15] CS.4 9.4熱電変換，16.2エナジーハーベスティングのコードシェアセッション

[14p-P22-13] パワー半導体冷却用Si単一ペルチェ素子における過度的熱移動

〇古林 寛¹、種平 貴文²、米盛 敬²、瀬尾 宣英²、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研、2.マツダ(株))

キーワード：パワー素子、冷却、ペルチェ素子

パワー半導体の出力は、例えば車両動力源では短時間で激しく変動するため、それに追従する排熱機構が必要である。本研究では、高ゼーベック係数・高熱伝導性を有するSi を母体としたペルチェ素子の熱輸送を検証してきた。今回、4H-SiCパワー半導体に搭載したSiペルチェ素子初期駆動時における過度現象の観測・解析を行ったので報告する。
ペルチェ由来温度差時間変化と電流との関係より、n-Si試料のゼーベック係数は 710 μV/K と見積もられ、先行研究とほぼ同等の結果となった。また、応答時間は約0.2 秒と算出され、パワー半導体の出力変動に充分追従出来る性能を有すると考えられる。