[14p-P22-1~15] CS.4 9.4&16.2 Code-sharing session

△ [14p-P22-6] Effects of Film Thickness and Annealing on Thermoelectric Properties of a-IGZO

〇Yuki Tawa¹, Mutsunori Uenuma¹, Yuta Fujimoto¹, Naofumi Okamoto¹, Yasuaki Ishikawa¹, Ichiro Yamashita¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:thermoelectric, oxide semiconductor, dependence of film thickness

熱電変換素子は，身近な熱エネルギーを有効活用することからクリーンデバイスとして注目されている。我々は熱電変換素子の透明化やフレキシブル化を目指してアモルファス酸化物半導体材料に着目している。これまでa-InGaZnO(a-IGZO)成膜時の酸素流量比を制御することで，キャリア密度の最適化を行い熱電特性の向上を実現している。本研究ではa-IGZOの熱電特性の膜厚依存性とアニールについて評価を行ったので報告する。