[14p-P3-1~3] 6.1 強誘電体薄膜

[14p-P3-3] Si基板上におけるBi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の結晶配向とMFS構造の電気特性

〇香野 淳¹、田尻 恭之¹ (1.福岡大理)

キーワード：強誘電体薄膜、ビスマス層状構造強誘電体、MFS型メモリ

化学溶液堆積法を用いてSi(100)基板上に直接形成したBi_4-xLa_xTi₃O₁₂ (BLT) 薄膜は、比較的強いa, b軸優先配向を有する。堆積のための前駆体溶液を調整して膜厚を変化させると、薄膜化するほど結晶配向が強くなることがわかった。膜厚、結晶相、結晶配向、界面層などを明らかにし、BLTを用いたMFS構造の電気特性に与える影響を調べた。膜厚、結晶配向と電気特性との関係について議論する。