2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[14p-P4-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年9月14日(水) 13:30 〜 15:30 P4 (展示ホール)

13:30 〜 15:30

[14p-P4-2] シリコン表面のレーザアブレーションによるナノ構造形成

浅倉 慎弥1、〇斉藤 光徳1 (1.龍谷大理工)

キーワード:レーザアブレーション、シリコン、ナノ構造

パルスレーザ(532nm、550ps、10μJ)をシリコン基板に照射すると、焦点付近ではミルククラウン状の大きなアブレーション痕が生じたが、レンズに近い位置では100nm程度の孔が形成された。基板を移動させながら1秒間に8800パルス照射して2次元微細孔アレイを形成すると、反射光に構造色が見られた。水酸化カリウム水溶液に浸すと、異方性エッチングにより六角形の孔の配列を形成することができた。