[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [14p-P6-1] ナノドットアレイデバイスのためのアナログメモリ素子制御の検討

〇(D)曹 民圭¹、勝村 玲音¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：単電子トランジスタ、抵抗変化型メモリ