[14p-P6-1~11] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[14p-P6-10] Analysis of a residual image in CMOS image sensor 1

〇Tasuku Kaneda¹, Akira Ohtani¹ (1.CANON INC.)

Keywords:CMOS image sensor, residual image, Oxygen related defects

CMOSイメージセンサーに強い光を入射させた場合、残像が見られることがある。今回残像とプロセス条件との関係を調査したところ、残像電子数は、デバイス形成領域の酸素濃度、ボロン濃度、シンターアニール時間に強く依存することが判明した。これらの残像を起こすトラップ欠陥の特性について、当日報告する予定である。