[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[14p-P6-10] CMOSイメージセンサーの残像現象メカニズムの解明 1

〇金田 翼¹、大谷 章¹ (1.キヤノン株式会社)

キーワード：CMOSイメージセンサー、残像、酸素欠陥

CMOSイメージセンサーに強い光を入射させた場合、残像が見られることがある。今回残像とプロセス条件との関係を調査したところ、残像電子数は、デバイス形成領域の酸素濃度、ボロン濃度、シンターアニール時間に強く依存することが判明した。これらの残像を起こすトラップ欠陥の特性について、当日報告する予定である。